上图是使用无损吸收的单管正激一次侧(初级)典型电路，现分析其工作机制。 1.元件功能介绍：T1A是励磁线圈，用于产生磁场，传输能量。 T1B是退磁线圈，用于对磁芯进行磁复位，避免

上图是使用无损吸收的单管正激一次侧(初级)典型电路，现分析其工作机制。
1.元件功能介绍：T1A是励磁线圈，用于产生磁场，传输能量。
               T1B是退磁线圈，用于对磁芯进行磁复位，避免磁芯饱和。
               Q1： MOSFET，用作功率开关管。
               C3：一次侧储能电容。
               D1：为退磁电流提供通道，同时为C0提供充电通道。
               R1，C1：用于削除分布参数引起的尖峰。
               R2：取样电阻。
2.工作原理：1。当Q1导通时，C3上的电压通过T1A和Q1到地形成通路，此时，能量通过磁芯向次级传送，同时，磁芯中的磁感应强度呈线性增长。
          2。为了在Q1下次导通前，磁芯中的磁感应强度下降到初始状态，需要对磁芯进行退磁，这个功能是由T1B（和T1A绕在同一磁芯上),D1,C3完成的。T1A的“1”端和T1B的“3”端是同名端。由于电磁感应的作用，在Q1截止时，T1B的“4”端相对于“3”端是高电位，于是，退磁电流的通道就是由“4”通过D1，C3，回到T1B的“3”端。此时，实际上是励磁能量回收到C3中。
          3。由于各种因素的影响，T1A，T1B一般不会有100%的耦合，因此，T1A相对T1B来说，存在漏电感，即有一部能量，是不能通过退磁电流回收到C3中的。那么这部分能量实际上就是通过C0，D1进行回收的。
          4。漏感能量的回收：当Q1截止时，由于电磁感应的作用，T1A感生出“2”正，“1”负的电压，于是这个能量通过D1对C0充电，漏感能量暂存在C0中。
          5。当Q1再次导通时，C0又通过Q1和T1B形成回路。实际上，这和C3通过Q1和T1A形成回路产生的效果是一样的，都会把能量向次级传送。
          6。通过4，5两个过程，实际上完成了漏感能量的回收和再利用。