单端反激结构在几十瓦的小功率开关电源中比较常见。设计过程经常会碰到MOS管电压应力超标的现象，根据我们的调试经验，对这个问题做一分析并提出几种应对方案措施。

单端反激结构在几十瓦的小功率开关电源中比较常见。在其可靠性验证中，初级MOS管DS间承受的电压峰值（下面称应力）是一个重点。设计过程经常会碰到MOS管电压应力超标的现象（一般认为在异常情况下，应力不超过MOS耐压的100%，正常情况下不超过95%，对MOS是安全的）。根据我们的调试经验，对这个问题做一分析并提出几种应对方案措施。
一、初级MOS的电压应力
初级MOS的电压应力一般是由三个方面组成:即是三个数值的叠加。
1.母线上电压峰值（一般是初级滤波电容上的电压峰值）；
2.是次级的反射电压（即是MOS截止时由于电磁感应，次级电压折算到初级线圈的电压值）；
3.是由于变压器漏感，在MOS关断时产生的尖峰。
母线上的电压峰值：这个峰值一般是输入电压的峰值，对于220V市电供电的开关电源，如果考虑±20%的变化范围，其最大值是264V，其因是正弦波，所以峰是264 x 1.414=373.23v.
二、次级的反射电压
这个电压由变压器初级圈数和次级圈数的比值决定。根据经验，反射电压值最好不要大于100V（针对600V的管子和220电网电压）。如果这个值选的过大，可能会给MOS应力控制增加一些压力。另外，反射电压太高，初级线圈的吸收电阻上消耗更多的能量会增加，不利于提高电源效率。但也不要选的太小，不然占空比不能得到充分的利用。（因为反射电压小，意味着初级圈数和次级圈数比值较大，占空比必然会小)。占空比太小，在相同功率下，会增大初级MOS电流的峰值，电流的有效值值也会增加，开关管的导通损耗和变压器集肤效应，临近效应引起的损耗也会增加。总之，这个反射电压的选取，也是一个反复实验权衡的结果。当然，如果效率不是我们最关注的问题，在部件（MOS，变压器）温升尚可接受的前提下，我们尽量还是照顾MOS的电应力要求。
三、漏感尖峰
由于实际变压器都存在漏感，在MOS管关断后，存在漏感中的能量不能传送到次级，因此必然会寻找一个放电通道，初级的RCD吸收就是为此而设。如果没有吸收，从理论上来说，会在MOS的D级对地形成一个无限高的尖峰（当然，实际电路都会存在分布的电容，这个尖峰不会有无限高），因此足够的吸收是相当重要的。一般来说，增大吸收电容，减小吸收电阻，都会有效果，但还要综合考效率，吸收电阻的体积等问题，有时侯，单从吸收电路下手并不能满足MOS电应力的要求。
四、除了更改吸收电路外，还有其它的几种方案可供参考：
1.RCD吸收中的D（二极管),使用所谓的慢管（即慢恢复二极管），可以从一定程度上降低感应出来的尖峰。更换D后，要重新测量D的温升。
2.由于电应力超标一般都发生在异常状态下，此时的占空比一般是处于失控状态，所以此时的初级峰值电流也是比较大的。峰值电流的增大则意味着漏感中存贮的能量增大，MOS关断时，尖峰自然也会变大。因此控制峰值电流对抑制尖峰作用是比较明显的。控制峰值电流的措施一般有：a.控制异常状态时的最大占容比，这对于某些芯片是可行的（如TL3842等);b.增大初级sense电阻（初级取样电阻）值，对于电流控制型的芯片，这个方法是有效的。其机理在于芯片是感知SENSE电阻上的电压来关断MOS的，电阻变大则能较早关断MOS，防止电流冲地过高。但要兼顾输出功率要求。c.增大初级电感量，机理和b类似;d.降低MOS的关断速度，这一般可以从MOS 驱动电路上下手，但同时也应注意MOS的发热量。另外，在初级增加电压初偿也是一个办法，即从初级滤波电容上引电阻到芯片的电流检测（Isense）脚，一定上程度也可以对降低MOS尖峰有效。
    上述各种方案措施的实施后，一定要对开关电源的其它指标进行确认，以避免极端优化一个参数，而引起其它参数恶化的现象。